Disco SSD Samsung 9100 PRO 2000GB M.2 2280 PCIe Gen5 | Logroño
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Disco SSD Samsung 9100 PRO 2000GB M.2 2280 PCIe Gen5

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📦 Disco SSD Samsung 9100 PRO 2000GB M.2 2280 PCIe Gen5

Maximiza el rendimiento de PCIe 5.0. La 9100 PRO con disipador térmico alcanza velocidades de lectura/escritura secuencial ultrarrápidas de hasta 14 800/13 400 MB/s, con una velocidad de lectura secuencial dos veces superior a la de la 990 PRO. Supera las…

  • ✓ M.2 2280 PCIe Gen5
  • ✓ Capacidad: 2 TB
  • ✓ Formato: M.2 2280
  • ✓ Interfaz: PCI Express 5.0 x4 NVMe 2.0

🏪 Disponible en El Ocio Virtual · Logroño

Disco SSD Samsung 9100 PRO 2000GB M.2 2280 PCIe Gen5

📦 Disco SSD Samsung 9100 PRO 2000GB M.2 2280 PCIe Gen5

M.2 2280 PCIe Gen5 · 2 TB · M.2 2280

⭐ Lo más destacado

✔️ Destacado
M.2 2280 PCIe Gen5
✔️ Capacidad
2 TB
✔️ Formato
M.2 2280
✔️ Interfaz
PCI Express 5.0 x4 NVMe 2.0
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🔹 9100 PRO NVMe M.2 SSD

Rendimiento listo para una nueva era

🚀 Rendimiento PCIe® 5.0 innovador

Maximiza el rendimiento de PCIe 5.0. La 9100 PRO con disipador térmico alcanza velocidades de lectura/escritura secuencial ultrarrápidas de hasta 14 800/13 400 MB/s, con una velocidad de lectura secuencial dos veces superior a la de la 990 PRO. Supera las limitaciones de Gen4 con velocidades de lectura/escritura aleatorias de hasta 2200 000/2600 000 IOPS, solo posibles con Gen5

🔹 Cada tarea, poderosamente paralela

Supere rápidamente los límites de productividad. Las emocionantes velocidades de lectura/escritura aleatorias permiten un procesamiento paralelo ultrarrápido para innumerables datos fragmentados, con hasta 2200 000/2600 000 IOPS. Experimente un rendimiento superior y cargas instantáneas para juegos de gran tamaño, tareas de alto rendimiento e incluso aplicaciones de IA.

🤖 Crea con IA en un instante

La inteligencia redefine el rendimiento. Supera tus límites en el trabajo y el ocio con un PC con IA integrada y generación de contenido con IA, impulsado por el procesador 9100 PRO con las emocionantes velocidades de lectura/escritura aleatorias de hasta 2200 000/2600 000 IOPS del disipador de calor. Cargas rápidas, juego fluido y rendimiento impecable.

🔹 Conquista cualquier juego al instante

Libertad de juego sin límites. Combina tus fuerzas con el 9100 PRO con disipador de calor en tu PC, portátil o PlayStation® 5 y experimenta un rendimiento excepcional con las últimas interfaces PCIe® 5.0. Equípate con la ventaja definitiva para arrasar a tus oponentes y reinar como el rey. En cualquier escenario, en cualquier dispositivo

🔹 Eficiencia térmica extraordinaria

Máximo rendimiento sin interrupciones. La avanzada arquitectura de alimentación del controlador de 5 nm mejora la eficiencia energética hasta un 49 % con respecto a la 990 PRO. El excepcional control térmico garantiza que nada interrumpa tu flujo de trabajo, para que puedas mantener tus programas más exigentes funcionando con la máxima potencia de PCIe® 5.0

🔹 Constitución delgada. Ajuste perfecto.

Diseño ultrafino. La 9100 PRO con disipador cuenta con un cuerpo increíblemente delgado de 8,8 mmT, compatible con PlayStation® 5, PC y portátiles, y cumple con las especificaciones PCI-SIG® D8. Supere las limitaciones de espacio y obtenga la máxima flexibilidad de diseño para crear su sistema más eficiente y de alto rendimiento con el formato compacto M.2.

🔹 Asegurar cada victoria

Asegura cada victoria con una capacidad astronómica de 8 TB. La 9100 PRO con disipador ofrece un espacio increíblemente amplio para ampliar tu biblioteca de juegos, que no deja de crecer. Olvídate de las limitaciones de almacenamiento, guarda todos tus juegos y no vuelvas a borrar tus favoritos

🔹 Dando vida a las innovaciones

Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han transformado nuestra vida diaria. Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestros SSD de consumo, abriendo paso al próximo gran impulso de innovación.

📋 Especificaciones técnicas

  • Capacidad: 2 TB
  • Formato: M.2 2280
  • Interfaz: PCI Express 5.0 x4 NVMe 2.0
  • Controlador: Controlador interno Samsung
  • Tipo de memoria: V-NAND TLC
  • Memoria caché: 2 GB DDR4X
  • Velocidad de lectura: Hasta 14700 MB/s
  • Velocidad de escritura: Hasta 13400 MB/s
  • IOPS lectura: Hasta 1850000
  • IOPS escritura: Hasta 2600000
  • Tecnologías: TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, cifrado AES de 256 bits, TCG Opal, IEEE1667
  • Compatibilidad suspensión: Compatible
  • WWN: No compatible
  • MTBF: 1500000 horas
  • Consumo en lectura: 8.1 W
  • Consumo en escritura: 7.9 W
  • Consumo en reposo: 4.8 mW
  • Consumo en suspensión: 4 mW
  • Voltaje: 3.3 V ± 5%
  • Temperatura de funcionamiento: 0 °C a 70 °C
  • Resistencia a golpes: 1500 G
  • Dimensiones: Hasta 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
  • Peso: Hasta 30 g
  • Software de gestión: Samsung Magician

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